FQAF7N90
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FQAF7N90 |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 900V 5.2A TO3PF |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3PF |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55Ohm @ 2.6A, 10V |
Verlustleistung (max) | 107W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3 Full Pack |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2280 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 900 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.2A (Tc) |
Grundproduktnummer | FQAF7 |
FQAF7N90 Einzelheiten PDF [English] | FQAF7N90 PDF - EN.pdf |
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2024/09/20
2023/12/20
2024/10/30
2024/05/21
FQAF7N90onsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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